27.04.2024
MMBTH10-7-F
Характеристики MMBTH10-7-F
-
ПроизводительDiodes Inc
-
Transistor TypeNPN
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)25V
-
Frequency - Transition650MHz
-
Noise Figure (dB Typ @ f)-
-
Gain-
-
Power - Max300mW
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
-
Current - Collector (Ic) (Max)50mA
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
-
УпаковкаTape & Reel (TR)
-
Supplier Device Package
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
26.04.2024
25.04.2024