20.09.2024
NTD20N03L27G
Характеристики NTD20N03L27G
-
Серия-
-
ПроизводительON Semiconductor
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureLogic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 10A, 5V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
-
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs18.9nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1260pF @ 25V
-
Power - Max1.75W
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусTO-252-2, DPak (2 Leads + Tab), TO-252AA, SC-63
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
19.09.2024
18.09.2024