08.05.2024
IXFA3N120
Характеристики IXFA3N120
-
СерияHiPerFET™
-
ПроизводительIXYS
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureStandard
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 Ohm @ 500mA, 10V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
-
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1.5mA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs39nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1050pF @ 25V
-
Power - Max200W
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусTO-263-2, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
07.05.2024
06.05.2024