IXFA3N120

Маркировка

IXFA3N120

Описание

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

Производитель

IXYS

Характеристики IXFA3N120

  • Серия
    HiPerFET™
  • Производитель
    IXYS
  • FET Type
    MOSFET N-Channel, Metal Oxide
  • FET Feature
    Standard
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    3A
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    5V @ 1.5mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • Power - Max
    200W
  • Тип монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение / Корпус
    TO-263-2, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
  • Упаковка
    Tube
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости



Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.