IRFBF20LPBF

Маркировка

IRFBF20LPBF

Описание

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

Производитель

Vishay/Siliconix

Характеристики IRFBF20LPBF

  • Серия
    -
  • Производитель
    Vishay/Siliconix
  • FET Type
    MOSFET N-Channel, Metal Oxide
  • FET Feature
    Standard
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 1A, 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    900V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    1.7A
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    490pF @ 25V
  • Power - Max
    3.1W
  • Тип монтажа
    Through Hole
  • Исполнение / Корпус
    TO-262-3, Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Упаковка
    Tube
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости



Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.