14.05.2024
IRFBF20LPBF
Характеристики IRFBF20LPBF
-
Серия-
-
ПроизводительVishay/Siliconix
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureStandard
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 Ohm @ 1A, 10V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.7A
-
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs38nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds490pF @ 25V
-
Power - Max3.1W
-
Тип монтажаThrough Hole
-
Исполнение / КорпусTO-262-3, Long Leads, I²Pak, TO-262AA
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
13.05.2024
08.05.2024