Результаты поиска PHB108NQ03LT

Найдено 4 результатов.

  • Philips Semiconductors — Philips Semiconductors PHB108NQ03LT Package: D2PAK
  • Philips Semiconductors — Philips Semiconductors PHB108NQ03LT Package: D2PAK
  • NXP Semiconductors — Philips Semiconductors PHB108NQ03LT Package: D2PAK
  • NXP Semiconductors — NXP Semiconductors PHB108NQ03LT,118 Current - Continuous Drain (id) @ 25В° C: 75A Drain To Source Voltage (vdss): 25V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 16.3nC @ 4.5V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 1375pF @ 12V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DВІPak, TO-263 (2 leads + tab) Power - Max: 187W Rds On (max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V Series: TrenchMOSв„ў Vgs(th) (max) @ Id: 2V @ 1mA Other Names: 934056956118, PHB108NQ03LT /T3




Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.