Результаты поиска IXFH15N100Q3

Найдено 2 результатов.

  • IXYS — IXYS IXFH15N100Q3 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 1000 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 15 A Resistance Drain-Source RDS (on): 1.05 Ohms Configuration: Single Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247 Gate Charge Qg: 64 nC Power Dissipation: 690 W Rise Time: 250 ns
  • IXYS — IXYS IXFH15N100Q3 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 1000 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 15 A Resistance Drain-Source RDS (on): 1.05 Ohms Configuration: Single Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247 Gate Charge Qg: 64 nC Power Dissipation: 690 W Rise Time: 250 ns




Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.