Простая альтернатива кремниевым транзисторам для снижения потерь в цепях питания

Фирма UnitedSiC представила серию карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов UJ3C на 650 В, которые могут использоваться в качестве альтернативы кремниевым МОП-транзисторам на основе технологии суперперехода.

Выпускаемые в корпусах TO-220, TO-247 и D2PAK-3L новые транзисторы имеют схожий с кремниевыми аналогами принцип управления затвором, что предусмотрено специально для того, чтобы исключить переделку существующих схем, но при этом понизить сопротивление открытого состояния и заряд затвора, что способствует снижению потерь.

Новые транзисторы могут использоваться для корректировки коэффициента мощности и схем преобразования постоянного тока в топологиях с жёстким переключением и переключением с нулевым напряжением. Максимальный ток стока для представленных SiC-транзисторов лежит в диапазоне 31..85 А.

Согласно производителю, сопротивление Rds(on) = 27 мОм является лучшим показателем среди аналогов в корпусе TO-220. Встроенный паразитный диод с низким уровнем заряда Qrr позволяет исключить из схемы встречно-параллельный диод. Новые транзисторы могут применяться в схемах с частотой переключения до 500 кГц. Компоненты должны сократить размер и стоимость схем.

В настоящий момент UnitedSiC патентует технологию карбидокремниевой структуры SiC JFET, совмещённой со специализированным низковольтным кремниевым МОП-транзистором, защищённым от электростатики.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество



Магазин электронных компонентов - Диоды, светодиоды. Оперативные поставки. Огромный ассортимент. Низкие цены
Диоды, светодиоды. Оперативные поставки. Огромный ассортимент. Низкие цены
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.

Новости партнеров

Loading...

Новости электроники

Еще новости


В архив даташитов сегодня добавили