Простая альтернатива кремниевым транзисторам для снижения потерь в цепях питания

Фирма UnitedSiC представила серию карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов UJ3C на 650 В, которые могут использоваться в качестве альтернативы кремниевым МОП-транзисторам на основе технологии суперперехода.

Выпускаемые в корпусах TO-220, TO-247 и D2PAK-3L новые транзисторы имеют схожий с кремниевыми аналогами принцип управления затвором, что предусмотрено специально для того, чтобы исключить переделку существующих схем, но при этом понизить сопротивление открытого состояния и заряд затвора, что способствует снижению потерь.

Новые транзисторы могут использоваться для корректировки коэффициента мощности и схем преобразования постоянного тока в топологиях с жёстким переключением и переключением с нулевым напряжением. Максимальный ток стока для представленных SiC-транзисторов лежит в диапазоне 31..85 А.

Согласно производителю, сопротивление Rds(on) = 27 мОм является лучшим показателем среди аналогов в корпусе TO-220. Встроенный паразитный диод с низким уровнем заряда Qrr позволяет исключить из схемы встречно-параллельный диод. Новые транзисторы могут применяться в схемах с частотой переключения до 500 кГц. Компоненты должны сократить размер и стоимость схем.

В настоящий момент UnitedSiC патентует технологию карбидокремниевой структуры SiC JFET, совмещённой со специализированным низковольтным кремниевым МОП-транзистором, защищённым от электростатики.