GaN-on-SiC-транзистор на 50 Вт с рабочим частотным диапазоном 5..6 ГГц

12.02.2018

Integra Technologies анонсировала выпуск согласованного транзистора с технологией GaN-on-SiC, пиковой мощностью 50 Вт и частотным диапазоном 5..6 ГГц. Спроектированный для импульсных радарных систем С-диапазона компонент IGT5259L50 HEMT согласован на 50 Ом.

Точный частотный диапазон транзистора: 5,2..5,9 ГГц, усиление 14 дБ при КПД до 43 % (импульсы 1 мс / 15 %). Компонент выпускается в RoHS-совместимом металлокерамическом корпусе 20 х 11 мм с монтажными фланцами и позолоченным напылением.

Высокочастотные мощностные характеристики нового транзистора полностью испытаны в 50-оммной схеме. Компонент соответствует требованиям стандарта MIL-STD-750D.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество



Магазин электронных компонентов - Диоды, светодиоды. Оперативные поставки. Огромный ассортимент. Низкие цены
Диоды, светодиоды. Оперативные поставки. Огромный ассортимент. Низкие цены
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.

Новости партнеров

Loading...

Новости электроники

Еще новости


В архив даташитов сегодня добавили