TME.EU в России! Лучшые цены на электронные компоненты!
Работаем с частными и юр. лицами! Оплата онлайн! Доставка от 1 штуки!

GaN-on-SiC-транзистор на 50 Вт с рабочим частотным диапазоном 5..6 ГГц

Integra Technologies анонсировала выпуск согласованного транзистора с технологией GaN-on-SiC, пиковой мощностью 50 Вт и частотным диапазоном 5..6 ГГц. Спроектированный для импульсных радарных систем С-диапазона компонент IGT5259L50 HEMT согласован на 50 Ом.

Точный частотный диапазон транзистора: 5,2..5,9 ГГц, усиление 14 дБ при КПД до 43 % (импульсы 1 мс / 15 %). Компонент выпускается в RoHS-совместимом металлокерамическом корпусе 20 х 11 мм с монтажными фланцами и позолоченным напылением.

Высокочастотные мощностные характеристики нового транзистора полностью испытаны в 50-оммной схеме. Компонент соответствует требованиям стандарта MIL-STD-750D.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество



Поставки силовой электроники - Резисторы и симисторы. Большой выбор. Оперативная доставка. Низкие цены!
Резисторы и симисторы. Большой выбор. Оперативная доставка. Низкие цены!
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.

Новости партнеров

Loading...

Новости электроники

Еще новости


В архив даташитов сегодня добавили