Toshiba выпустила 11 транзисторных матриц с выходами DMOS FET

Toshiba расширила портфолио 11 транзисторными матрицами нового поколения с выходами DMOS FET. Компоненты обладают высоким выходным напряжением с рабочим током до 0,5 А. Матрицы пополнят серию TBD62xxxA, уже включающую 37 чипов.

Новые компоненты могут применяться в схемах двигателей, реле, светодиодов и схем сдвига уровня в управляющих коммуникационных каналах. Существующие матрицы серии имеют тип высокоактивного (H-active) состояния с открытием выхода по высокому уровню входа. Новые компоненты имеют тип низкоактивного состояния (L-active) с открытием выхода по низкому входному уровню. За счёт конфигурации с открытым стоком компоненты с низким активным уровнем отлично подходят для схем сдвига уровня в промышленном оборудовании и бытовой технике.

Toshiba также выпускает серию TBD62381A со сниженным энергопотреблением за счёт модификации серии TBD62083A. Матрицы транзисторов нового поколения имеют уменьшенное энергопотребление в пределах 40 %, если сравнивать с серией TD62XXX.

Новые компоненты обладают двумя типами выхода: выход вытекающего тока (для схем импульсных блоков питания) и выход втекающего тока (для управления включением/выключением). Динамическое управление светодиодными матрицами может достигаться за счёт комбинации выходов обоих типов.

Новая линейка включает компоненты в корпусе DIP, SOL, SSOP (с шагом выводов 0,65 мм). Образцы чипов доступны для заказа.