Microchip выпустила низковольтную 64-мегабитную память SuperFlash

Microchip представила новые чипы памяти Serial Quad I/O SuperFlash с рабочим напряжением 1,8 В. Низковольтные 64-Мбит модули SST26WF064C сочетают двойную пропускную способность (DTR) с фирменной технологией SuperFlash NOR Flash, что позволяет их применять в устройствах с беспроводной связью и питанием от батарей.

Технология DTR позволяет выводить данные по обоим фронтам синхроимпульсов, что позволяет сократить суммарное время доступа и энергопотребление. Технология SuperFlash сокращает потребление мощности за счёт значительного уменьшения времени стирания (35..50 мс).

Модули SST26WF064C также включают функцию сброса с аппаратным управлением. Большинство последовательной флеш-памяти на рынке не поддерживают функцию аппаратного сброса в силу ограничений количества выводов на корпусе. Новые компоненты позволяют задействовать вывод HOLD# для реализации данной функции.

Работая на тактовой частоте до 104 МГц, новый чип обеспечивает минимальной задержкой eXecute-In-Place (XIP) без необходимости использования теневого копирования кода в SRAM. В модуле используется 4-разрядный мультиплексированный последовательный интерфейс ввода/вывода для повышения производительности при сохранении компактного форм-фактора стандартной последовательной флеш-памяти.

Модули SST26WF064C поддерживают совместимость с полным набором команд традиционного протокола SPI. Технология SuperFlash также означает то, что чипы основаны на фирменных ячейках памяти с разделённым затвором, а это обеспечивает высокой надёжностью работы (до 100 тыс. циклов стирания/записи), способностью хранения данных более 100 лет, и наибольшей скоростью стирания.

Разработчики могут приступить к проектированию схем с модулями SST26WF064C при помощи моделей Verilog и IBIS, а также соответствующих драйверов. Чипы выпускаются в различных корпусах, включая 8-контактный WDFN (6 х 5 мм), 8-выводной SOIJ (5,28 мм), 16 выводной SOIC(7,50 мм) и 24-выводной TBGA (8 х 6 мм).