Первые чипы памяти ST-MRAM ёмкостью 1 Гбит

08.08.2017

Everspin приступила к отгрузке образцов 1-гигабитной магниторезистивной памяти ST-MRAM. Новая высоконадёжная память с DDR4-совместимым интерфейсом позволит производителям накопителей данных повысить надёжность и скорость работы устройств. Защита от потери данных в случаях сбоев питания не потребует применения суперконденсаторов или батарей.

Разработчики SSD-накопителей корпоративного сегмента получают преимущества быстрой энергостойкой памяти, которая по своей природе устойчива к сбоям питания. Помимо этого, такая память лишена и других ограничений, типичных для твердотельных накопителей на базе NAND Flash.

Чипы MRAM с ёмкостью 1 Гбит производятся по 28-нм техпроцессу CMOS на 300-мм пластинах с применением технологии перпендикулярного магнитного туннельного перехода (pMTJ). Быстрый выпуск новых чипов памяти – прямой результат высокой масштабируемости технологии pMTJ при переходе с 40- на 28-нм геометрию техпроцесса, что заняло менее года.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество



Поставка электронных компонентов - Купить микросхему, модуль, конденсатор, разъем. Быстроиудобно.
Купить микросхему, модуль, конденсатор, разъем. Быстроиудобно.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.

Новости партнеров

Loading...

Новости электроники

Еще новости


В архив даташитов сегодня добавили