Первые чипы памяти ST-MRAM ёмкостью 1 Гбит

08.08.2017

Everspin приступила к отгрузке образцов 1-гигабитной магниторезистивной памяти ST-MRAM.

Everspin приступила к отгрузке образцов 1-гигабитной магниторезистивной памяти ST-MRAM. Новая высоконадёжная память с DDR4-совместимым интерфейсом позволит производителям накопителей данных повысить надёжность и скорость работы устройств. Защита от потери данных в случаях сбоев питания не потребует применения суперконденсаторов или батарей.

Разработчики SSD-накопителей корпоративного сегмента получают преимущества быстрой энергостойкой памяти, которая по своей природе устойчива к сбоям питания. Помимо этого, такая память лишена и других ограничений, типичных для твердотельных накопителей на базе NAND Flash.

Чипы MRAM с ёмкостью 1 Гбит производятся по 28-нм техпроцессу CMOS на 300-мм пластинах с применением технологии перпендикулярного магнитного туннельного перехода (pMTJ). Быстрый выпуск новых чипов памяти – прямой результат высокой масштабируемости технологии pMTJ при переходе с 40- на 28-нм геометрию техпроцесса, что заняло менее года.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество

Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости


В архив даташитов сегодня добавили