NXP выводит твердотельную высокочастотную технологию на новый уровень

Фирма NXP Semiconductors разработала наиболее мощный транзистор для схем с частотой до 915 МГц. Кремниевый ключ на основе техпроцесса LDMOS при напряжении 50 В выдаёт непрерывно до 750 Вт мощности.

Новый компонент предназначен для модернизации схем микроволновых генераторов эры электровакуумных ламп, где используются такие устройства, как магнетроны. Транзистор MRF13750H поддерживает возможность точного управления мощностью на всём диапазоне рабочих частот (0..750 Вт) и позволяет реализовать частотный сдвиг, помогающий точно задействовать высокочастотную энергию.

Компонент работает при напряжении 50 В для большей безопасности в сравнении с магнетронами. И, наконец, малый размер твердотельного усилителя мощности позволяет создавать избыточные схемы и гибкие решения.

Транзистор MRF13750H спроектирован для применения в промышленных, научных и медицинских системах, работающих в диапазоне 700..1300 МГц. Особенно актуален он будет в производственных печах, системах травления и сварки, в ускорителях частиц.

КПД нового транзистора при максимальной частоте и мощности составляет 67 %. Для заказа доступны образцы компонента и референсная плата на 915 МГц. Серийный выпуск начнётся в декабря 2017 года.