Samsung наращивает производство 64-слойных чипов памяти V-NAND

Компания Samsung Electronics приступила к серийному выпуску 64-слойных чипов памяти типа V-NAND с объёмом 256 Гбит, расширяя ассортимент компонентов для хранения данных в серверах, персональных компьютерах и мобильных устройствах.

Samsung с января текущего года выпускает для корпоративных клиентов твердотельные накопители данных на базе новых чипов. Сейчас компания налаживает выпуск подобных накопителей на потребительский рынок. Кроме того, чип будет использоваться для производства карт памяти и встраиваемой флеш-памяти.

Новые 64-слойные 3-разрядные чипы V-NAND обладают скоростью пересылки данных до 1 Гбит/с, что является на данный момент максимальным показателем среди доступных на рынке модулей NAND. Также новинка обладает малым временем постраничного программирования tPROG = 500 мкс, что в 4 раза быстрее, чем у типовой планарной флеш-памяти NAND с геометрией 10 нм и примерно в 1,5 раза быстрее, чем в наиболее скоростной фирменной 48-слойной 3-разрядной памяти V-NAND.

В сравнении с предыдущими решениями новая память показывает 30-% рост производительности. Помимо этого, новые чипы имеют входное напряжение цепей 2,5 В, что ведёт к примерно 30-% снижению энергопотребления в сравнении с 3,3-В памятью. Надёжность новой ячейки памяти V-NAND повышена в пределах 20 %.

По мере роста числа слоёв ячеек растёт и технологическая сложность производства. Особенно это касается достижения однородной формы каналов от верхних слоёв к нижним, а также правильного распределения веса всех слоёв для повышения стабильности каналов.