Многоуровневый преобразователь на 2 кВт, выполненный по технологии AlGaN-on-silicon

Компания Fraunhofer IAF разработала интегрированный монолитный многоуровневый преобразователь, задействовав технологию AlGaN/GaN-on-Si. Встроенный инвертор рассчитан на ток 5 А и напряжение +/-400 В.

Схема многоуровневого преобразователя включает 4 транзистора с сопротивлением 350 мОм и 6 диодов. Размеры компонента составляют 2 х 3 мм. По словам разработчиков, цепи преобразователя обладают минимальными динамическими потерями на очень высокой частоте.

В сравнении с традиционными преобразователями, многоуровневые инверторы генерируют меньше помех во время преобразования типа DC/AC. Это означает, что для схемы потребуются меньшие выходные фильтры. Монолитная интеграция не только сокращает затраты, но и делает преобразователи напряжения более компактными и лёгкими.