Семейство устойчивых к радиации МОП-транзисторов для аэрокосмических систем

Подразделение Infineon Technologies – IR HiRel – выпустило первые устойчивые к радиации МОП-транзисторы, основанные на фирменной n-канальной технологии R9. В сравнении с предыдущими технологиями новая способствует снижению веса, размера и энергопотребления компонентов. По словам IR HiRel, это важно для спутниковых систем связи, где может быть уменьшен показатель стоимости в пересчёте на бит.

Устойчивость и характеристики работы новых транзисторов IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 исследованы для уровней радиации 100 и 300 кРад, соответственно. Согласно разработчикам, сопротивление Rds(on) в 25 мОм на 33 % ниже в сравнении с предыдущими поколениями. В сочетании с возможностью более высокого тока стока (до 35 А вместо 22 А) в новых транзисторах достигается большая удельная мощность и сниженные потери при использовании в переключающихся схемах.

Новые 35-А 100-В МОП-транзисторы имеют повышенную устойчивость к одиночным импульсам излучения и обладают линейной передачей энергии 90 МэВ/(мг/кв.см). Оба компонента выпускаются в герметичном, лёгком керамическом корпусе SMD-0.5 с поверхностным типом монтажа и размерами: 10,28 х 7,64 х 3,12 мм. Также транзисторы доступны в бескорпусном исполнении.

МОП-транзисторы IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 найдут применение в критически-важных системах со сроком эксплуатации 15 и более лет. Целевая ниша – DC/DC-преобразователи космического назначения, промежуточные преобразователи напряжения шин питания, контроллеры двигателей и прочие высокоскоростные импульсные схемы.