Samsung начинает производство 2-ГБ модулей мобильной памяти LPDDR3

Samsung Electronics Co. Ltd анонсировала начало серийного производства первых в индустрии 2-ГБ модулей памяти LPDDR3 с пониженной мощностью питания и двойной скоростью обмена. В решении, нацеленном на мобильные устройства нового поколения, использован 30-нм техпроцесс.

Samsung начала серийное производство данной памяти всего спустя 10 месяцев после старта выпуска первой в промышленности 30-нм 2-ГБ памяти LPDDR2 в октябре прошлого года. Решение использует четыре чипа LPDDR3, совмещенных вместе. Согласно разработчику, LPDDR3 потребуется для быстрых процессоров, дисплеев с большим разрешением и 3-мерной графики на планшетах и смартфонах.

Новая память может обмениваться данными на скорости до 1600 Мбит/с (на один вывод), что почти на 50% быстрее памяти LPDDR2 DRAM. На пакетном уровне, решение предлагает передачу данных с пропускной способностью до 12,8 ГБ/с, что позволит воспроизводить видео в разрешении full HD в реальном времени на смартфонах и планшетах. Высокие скорости обмена данными позволяют чипам LPDDR3 превысить уровень поддержки воспроизведения видео с разрешением full HD на экранах, которые по размерам больше текущих на рынке 4-дюймовых решений. Это позволит смотреть контент с высоким разрешением full HD в реальном времени без предварительной загрузки.