Toshiba повысила номинальное напряжение скоростных МОП-транзисторов

Toshiba выпустила новую линейку сверхэффективных скоростных высоковольтных МОП-транзисторов для схем импульсных стабилизаторов напряжения. Четыре новых n-канальных ключа с номиналами 800 и 900 В (TK4A80E, TK5A80E, TK3A90E, TK5A90E) найдут применение в обратноходовых преобразователях для светодиодного освещения, дополнительных блоках питания и прочих цепях с переключением тока с силой до 5 А.

Новые МОП-транзисторы с расширенным режимом работы основаны на техпроцессе планарных полупроводников 8-го поколения π-MOS VIII (Pi-MOS-8), сочетающем высокий уровень интеграции и оптимизированный дизайн. Технология поддерживает пониженный заряд и ёмкость затвора в сравнении с данными показателями у предыдущих поколений. При этом преимущества в виде низкого значения Rds(on) сохранены.

Транзисторы TK3A90E (2,5 А) и TK5A90E (4,5 А) имеют номинальное напряжение Vdss = 900 В при Rds(on) = 2,5..3,7 Ом. Транзисторы TK4A80E (4,0 А) и TK5A80E (5,0 А) имеют номиналы Vdss = 800 В при Rds(on) = 2,8..1,9 Ом.

Новые высоковольтные МОП-транзисторы обладают исключительно низким значением тока утечки порядка 10 мкА (Vds = 640 В для 800-В ключей и 720 В для 900-В) и пороговым напряжением затвора в диапазоне 2,5..4,0 В. Все транзисторы выпускаются в стандартных корпусах TO-220SIS. Транзисторы доступны для заказа.