Карбид-кремниевый силовой МОП-транзистор от TT Electronics
Фирма TT Electronics приступила к выпуску карбид-кремниевых (SiC) силовых МОП-транзисторов для схем с высоким КПД и повышенной температурой перехода (до 225 °C). Технические характеристики корпуса транзистора позволяют реализовать работу при более высокой наружной температуре, например, в непосредственной близости с двигателем внутреннего сгорания.
Новый транзистор SML25SCM650N2B с номинальным током 25 А и напряжением 650 В, выполненный в керамическом корпусе с поверхностным типом монтажа и с высокой рассеиваемой мощностью, также обеспечивает более быстрым переключением с меньшими потерями в сравнении с обычными кремниевыми аналогами. Соответственно, занимаемая пассивными компонентами цепи площадь может быть уменьшена, что ведёт к снижению веса и размеров целевой системы.
N-канальный МОП-транзистор обладает суммарной рассеиваемой мощностью 90 Вт при температуре полупроводникового перехода в 25 °C. Компонент предназначен для высокотемпературных схем преобразования питания с быстрым переключением. Транзистор найдёт применение в промышленных системах преобразования питания в сфере бурения нефтяных скважин, оборудовании распределённого управления, энергетике, космической отрасли.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество