Alliance Memory представляет высокоскоростные модули памяти DDR SDRAM

Alliance Memory выпустила новые модули синхронной DRAM-памяти с ёмкостями 256, 512, 1024 Мбит в 6о-контактных корпусах TFBGA (8 х 13 х 1,2 мм, шариковые выводы) и 66-контактных – TSOP II. Чипы памяти DDR SDRAM полностью совместимы со схемами промышленного, медицинского и телекоммуникационного оборудования. Модули предназначены для систем, требующих высокой пропускной способности и производительности.

Модули AS4C32M8D1, AS4C64M8D1 и AS4C64M16D1 имеют по 4 банка 32 М х 8 бит, 64 М х 8 бит и 64 М х 16 бит, соответственно. Чипы с синхронным интерфейсом не содержат свинца и галогенов. Напряжение питание модулей – от 2,5 В (±0.2 В).

Чипы AS4C32M8D1, AS4C64M8D1 и AS4C64M16D1 имеют тактовую частоту 200 или 166 МГц. Модули поставляются в коммерческом (рабочая температура 0 – 70 °C) и промышленном (-40 – 85 °C) исполнении. В решениях предусмотрена программируемая длина пакетов записи (2, 4 или 8). Функция автоматической предварительной зарядки обеспечивает зарядом строк в конце пакетов данных. Программируемый регистр автоматически выбирает подходящий режим обновления (автоматическое обновление, самообновление).

Новые модули имеют поддержку до конца срока эксплуатации, что позволит сократить затраты на модернизации.