Чипы мобильной памяти DDR SDRAM продлят время автономной работы портативных устройств

25.09.2014

Alliance Memory представила ряд высокоскоростных CMOS-чипов памяти DDR SDRAM, которые должны повысить эффективность и автономное время работы мобильных устройств при питании от батарей.

Alliance Memory представила ряд высокоскоростных CMOS-чипов памяти DDR SDRAM, которые, по словам разработчиков, должны повысить эффективность и автономное время работы мобильных устройств при питании от батарей. Новые компоненты с рабочим напряжением 1,7-1,95 В имеют ёмкость 256, 512, 1024, 2048 Мбит и выпускаются в 60-выводных корпусах FPBGA с размерами 8 х 9 мм либо 90-выводных – с размерами 8 х 13 мм.

Каждое новое поколение портативных устройств заставляет проектировщиков решать задачи повышения функциональности в рамках меньшей монтажной площади и меньшего энергопотребления. Компоненты от Alliance Memory снабжены функцией автоматического обновления с температурной компенсацией (ATCSR) для снижения энергопотребления при меньших внешних температурах. Кроме того, функция частичного самообновления (PASR) позволяет обновлять лишь критически важные данные. В более глубоких режимах энергосбережения чипы достигают сверхнизкого потребления, если не требуется обновление данных.

Разработчики отметили, что новые компоненты AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 и AS4C64M32MD1 за счёт совместимости по выводам могут применяться для модернизации существующих схем портативных устройств, медицинского оборудования и сетевых систем.

Новая мобильная память работает с высокой скоростью на тактовых частотах 166 и 200 МГц. Для оптимального функционирования в экстремальных условиях предусмотрены версии с расширенным температурным диапазоном -30 – 85 °C и -40 ¬– 85 °C. Новые чипы предоставляют полностью синхронную работу с программируемыми длинами пакетов записи и чтения: 2, 4, 8 или 16. Автоматическая функция обеспечивает строки самотактируемым предварительным зарядом, инициируемым в конце каждой последовательности пакетов. В чипах предусмотрены функции самообновления.

Образцы чипов мобильной памяти DDR SDRAM, соответствующие директивам RoHS, доступны серийными партиями. Время выполнения заказа составляет от 6 до 8 недель.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество

Продукция NKK Switches - Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.
Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости


В архив даташитов сегодня добавили