Сканирующий электронный микроскоп Verios с точными измерениями при техпроцессе 22 нм и менее

Сканирующий электронный микроскоп Verios XHR от FEI предоставляет разрешение до 1 нанометра и расширенный контраст, необходимый для точных измерений на чувствительных к излучению материалах в передовом производстве полупроводников и в сфере материаловедения.

Жизненный цикл нового устройства, как важного инструмента для измерений в лабораториях с управлением полупроводниковым процессом, расширяется за счёт возможности измерять чувствительные к излучению материалы и структуры, которые слишком малы для обычных сканирующих электронных микроскопов. При объединении с программным комплексом IC3D от FEI, Verios может предоставить точные измерения для управления процессами технологии 22 нм и ниже.

Для ученых, изучающих материалы, Verios будет способствовать новому уровню понимания путём расширения визуализации и характеристик новейших материалов, разрабатываемых сегодня. Это позволит исследователям достичь высокого разрешения и контраста без необходимости задействовать микроскопию TEM либо другие техники визуализации.

При низком уровне напряжения, производительность стандартных электронных микроскопов падает значительно. Продвинутая оптика системы от Verios обладает необходимой чувствительностью для получения нужной детализации. Это позволяет любому пользователю быстро переключаться между различными условиями работы, поддерживать чистоту образцов и получать разрешение до 1 нм при любом ускоряющем напряжении от 1 до 30 кВ.

Verios также представляет новые технологии детектирования. Набор оптимизированных сигналов и возможность продвинутой фильтрации ведёт к более высокому и гибкому способу получения контрастного изображения. Также увеличивается диапазон исследуемых образцов.

Множество чувствительных к излучению либо непроводящих материалов могжет быть точно исследовано на наноуровне, без дополнительной подготовки.