Метод напыления снизит стоимость производства GaN светодиодов

Исследователи Токийского университета разработали технологию создания GaN светодиодов на стеклянной подложке, которая должна не только снизить производственные затраты, но и содействовать в производстве OLED панелей. Учёные применили метод напыления для нанесения светодиодов из нитрида галлия (GaN) на стеклянную подложку. Команда разработчиков ещё не подсчитала величину световой отдачи и квантовой эффективности для любого цвета светодиода. Специалисты тестируют внутренний квантовый выход при низких температурах.

Светодиоды на основе технологии InGaN признаны высокоэффективными источниками света, пригодными для замены традиционных ламп накаливания. Однако область применения таких светодиодов ограничена небольшими устройствами, поскольку при производстве применяется затратный процесс роста кристаллов InGaN с эпитаксией металлоорганической паровой фазы на однокристальных полупроводниковых пластинах.

Для производства больших по размерам дисплеев на основе InGaN исследователи применили недорогой процесс эпитаксиального роста с напылением на больших по площади подложках. Задействовав графеновые буферные слои, специалисты смогли осуществить рост GaN плёнок даже на аморфных подложках. Команда создала красный, зелёный и синий InGaN светодиоды и подтвердили их успешную работу.

Исследователи полагают, что демонстрация возможности производства полноцветных светодиодов на аморфных подложках с процессом напыления, который часто используется в индустрии решений с жидкими кристаллами, должна способствовать выработке больших LED дисплеев на стеклянных подложках.

Специалисты указывают, что современные технологии производства стекла позволяют вырабатывать гибкие плёнки, а сочетание производственных методов может привести к разработке больших по размерам гибким дисплеям на неорганической основе.