Технология 1,2-кВ IGBT-транзисторов с повышенной прочностью для промышленных систем

International Rectifier (IR) анонсировала новое поколение технологической платформы биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT).

Согласно разработчику, в 8 поколении (Gen8) платформы 1,2-кВ IGBT-транзисторов используется самая свежая технология управления электрическим полем щелевой структуры затвора, которая ведёт к лучшей в индустрии производительности для промышленных систем, а также для устройств с функциями сбережения энергии.

Компоненты поколения Gen8 имеют лучшее в промышленности напряжение Vce(on) для целей снижения рассеиваемой и увеличения удельной мощности, а также для повышенной надёжности.

Технология предлагает более мягкие характеристики выключения, которые подойдут для схем управления приводами двигателей. Снижаются соотношение dv/dt и электромагнитные помехи, а также риск перенапряжения, что ведёт к повышению надёжности и прочности. Узкое распределение параметров способствует отличному перераспределению тока при параллельном включении нескольких IGBT-транзисторов в сильноточных мощных модулях. Технология тонких полупроводниковых пластин способствует улучшенным характеристикам температурного сопротивления при максимальной температуре перехода до 175 °C.

Платформа 8 поколения 1,2-кВ IGBT-транзисторов на текущий момент доступна в виде тестовых образцов для OEM- и ODM-партнёров.