TSMC запускает 20-нм инфраструктуру для разработки по технологии CoWoS

Компания TSMC заявила о поддержке разработки по 20-нм технологии CoWoS (чип с полупроводниковой пластиной на субстрате) на базе платформы открытых инноваций OIP. Эталонный рабочий процесс включает технологию двойного структурирования (DPT).

Дополнительно, по словам разработчика, вендоры электронных САПР смогут работать с 20-нм техпроцессом от TSMC за счёт применения упомянутой технологии DPT, проектируя с учётом технологических требований и согласно характеристикам физической верификации, синхронизации, размещения и трассировки.

Референсный рабочий процесс на базе CoWoS позволяет реализовать многокристальную интеграцию для поддержки больших пропускных способностей и низкого энергопотребления, а также способствует быстрому выводу на рынок трёхмерных интегральных схем. Технология CoWoS также поможет разработчикам использовать существующие и распространённые утилиты от вендоров САПР.

20-нм референсный рабочий процесс от TSMC позволит снизить сложность дизайна и добиться повышения точности. Внедрение технологии DPT позволяет осуществлять предварительное нанесение краски, реализовать новую методологию экстракции RC, проводить физическую верификацию и проектирование с учётом технологических требований. Дополнительно, TSMC и её партнёры проектируют 20-нм решения для совместимости с DPT для того, чтобы ускорить распространение 20-нм техпроцессов.

Техпроцесс на основе технологии CoWoS позволит интегрировать многокристальные 3-мерные интегральные схемы. Также он способствует мягкому переходу к таким ИС при минимальных изменениях в существующих методологиях. Референсный процесс включает: управление размещением и трассировкой контактных столбиков и площадок, взаимосвязей; инновационную структуру комбинированных контактных столбиков; аккуратную экстракцию и анализ сигнальной целостности высокоскоростных взаимосвязей между кристаллами; температурный анализ от чипа к корпусу; встроенную методологию 3-мерного тестирования на уровне кристаллов и тесты многоуровневых структур.

Эталонный поток процессов заказных дизайнов позволяет задействовать технологию DPT в 20-нм заказной компоновке. Предоставляются решения согласно требованиям к 20-нм процессу, включая прямую связь для осуществления верификации зависимых от напряжения правил контроля проектных норм, встроенные решения LDE и поддержку технологии HKMG. Референсный радиочастотный комплект проектировщика предлагает директивы по новым высокочастотным схемам. Данные указания включают поддержку 60-ГГц РЧ-моделей и электромагнитных характеристик. Это позволяет создавать заказные дизайны по примерам реализации 60-ГГц решений благодаря поддержке интегрированных пассивных элементов.