Новый технологический процесс GaN улучшает эффективность высоковольтных устройств питания
RF Micro Devices добавила в свою коллекцию высоковольтную технологию производства систем питания на процессе GaN (галлий-нитрид). Она имеет название rGaN-HV и нацелена на использование в системах преобразования питания. Данный технологический процесс должен понизить стоимости и вести к экономии энергии в подобных системах с рабочим напряжением от 1 до 50 кВ.
При использовании данной технологии напряжение пробоя увеличивается до 900 В, повышается пиковый ток и становится возможным сверхбыстрое время переключения в коммутаторах питания и диодах. Есть два подвида процесса: GaN 1, оптимизированный для мощных РЧ устройств при напряжении пробоя более 400 В, и GaN 2, оптимизированный для линейных схем при напряжении пробоя свыше 300 В.
Компания RFMD будет производить дискретные компоненты систем питания в Гринсборо, штат Северная Каролина на заводе изготовления пластин, тем самым предоставляя преимущества технологии rGaN-HV заказчикам специализированных ИС, разрабатывающих свои собственные системы питания.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество