SIA923AEDJ-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  SIA923AEDJ-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SIA923AEDJ-T1-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: - 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: - 4.5 A Rds On: 97 mOhms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6L Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 10 ns Forward Transconductance - Min: 11 S Gate Charge Qg: 16.3 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 7.8 W Rise Time: 16 ns Series: SIA923AEDJ Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 30 ns
• Количество страниц
  9 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  223,44 KB

SIA923AEDJ-T1-GE3 datasheet скачать

SIA923AEDJ-T1-GE3 datasheet