SIA447DJ-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  SIA447DJ-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SIA447DJ-T1-GE3 Configuration: Single Continuous Drain Current: - 12 A Drain-source Breakdown Voltage: - 12 V Fall Time: 50 ns Forward Transconductance Gfs (max / Min): 35 S Gate Charge Qg: 80 nC Gate-source Breakdown Voltage: - 0.85 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK SC-70-6L Single Part # Aliases: SIA447DJ-GE3 Power Dissipation: 19 W Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 13.5 mOhms at 4.5 V Rise Time: 60 ns Rohs: yes Transistor Polarity: P-Channel Typical Turn-off Delay Time: 120 ns
• Количество страниц
  9 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  196,67 KB

SIA447DJ-T1-GE3 datasheet скачать

SIA447DJ-T1-GE3 datasheet