28.11.2024
SI8809EDB-T2-E1 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаSI8809EDB-T2-E1
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI8809EDB-T2-E1 Configuration: Single Continuous Drain Current: - 2.6 A Drain-source Breakdown Voltage: - 20 V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 8 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: Micro Foot-4 Power Dissipation: 900 mW Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 0.09 Ohms at - 4.5 V Rohs: yes Transistor Polarity: P-Channel
-
Количество страниц8 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла158,85 KB
SI8809EDB-T2-E1 datasheet скачать
Новости электроники
27.11.2024
26.11.2024