SI8416DB-T2-E1 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  SI8416DB-T2-E1
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI8416DB-T2-E1 Continuous Drain Current: 16 A Drain-source Breakdown Voltage: 8 V Fall Time: 20 ns Forward Transconductance Gfs (max / Min): 22 S Gate Charge Qg: 26 nC Gate-source Breakdown Voltage: 0.8 V Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: Micro Foot-4 Power Dissipation: 13 W Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 0.023 Ohms Rise Time: 30 ns Rohs: yes Tradename: MICROFOOT TrenchFET Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 80 ns RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V Gate-Source Breakdown Voltage: 0.8 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.023 Ohms Forward Transconductance gFS (Max / Min): 22 S Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns
• Количество страниц
  9 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  153,68 KB

SI8416DB-T2-E1 datasheet скачать

SI8416DB-T2-E1 datasheet