SI4908DY-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  SI4908DY-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI4908DY-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 16 V Continuous Drain Current: 4.1 A Resistance Drain-Source RDS (on): 60 mOhms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOIC-8 Narrow Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1.85 W Factory Pack Quantity: 2500 Typical Turn-Off Delay Time: 23 ns, 31 ns Part # Aliases: SI4908DY-GE3
• Количество страниц
  10 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  178,38 KB

SI4908DY-T1-GE3 datasheet скачать

SI4908DY-T1-GE3 datasheet