RUM002N02T2L datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    RUM002N02T2L
  • Производитель
  • Описание
    Rohm RUM002N02T2L Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 200mA Drain To Source Voltage (vdss): 20V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: - Input Capacitance (ciss) @ Vds: 25pF @ 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: VMT3 Power - Max: 150mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V Series: - Vgs(th) (max) @ Id: 1V @ 1mA RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 200 mA Resistance Drain-Source RDS (on): 1.2 Ohms Mounting Style: SMD/SMT Fall Time: 10 ns Power Dissipation: 150 mW Rise Time: 10 ns Factory Pack Quantity: 8000 Typical Turn-Off Delay Time: 15 ns
  • Количество страниц
    5 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet RUM002N02T2L.pdf
Файл формата Pdf 122,94 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.
Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.