193172027 datasheet

193172027 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

193172027
Производитель

MOLEX
Описание

MOLEX 193172027 Color: - Contact Finish: Tin Contact Material: Copper Features: Brazed Seam Insulation: Non-Insulated Length - Overall: 3.422" (86.92mm) Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Series: Versakrimp?„? Stud/tab Size: 1 Stud Terminal Type: D-Shaped Termination: Crimp Thickness: 0.140" (3.56mm) Width - Outer Edges: 1.512" (38.50mm) Wire Gauge: 300-350 MCM (kcmil) Other Names: 019317-2027, 19317-2027, 193172027
Количество страниц

4 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

428,47 KB

193172027 datasheet скачать

193172027 datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>На конференции Embedded Vision Summit компания DeepX представила свои чипы первого поколения, разработанные для обработки ИИ на устройствах и автономной робототехники. Компания также намекнула на будущие разработки, направленные на поддержку моделей-трансформеров в следующем поколении оборудования, что обещает существенно улучшить возможности обработки данных на устройствах в реальном времени.</p>

DeepX готовится расширить поддержку трансформеров в чипах следующего поколения

15.10.2024

<p>С учетом растущего спроса на высокопроизводительные NAND-накопители и сверхбыстрые DRAM-чипы, обусловленного развитием искусственного интеллекта (ИИ) и анализа больших данных, компания SK hynix Inc. анонсировала новый SSD-накопитель PEB110 E1.S (PEB110), специально разработанный для центров обработки данных. Этот накопитель обеспечивает значительное увеличение производительности и энергоэффективности благодаря внедрению технологии PCIe пятого поколения (Gen5).</p>

SK hynix представляет твердотельные накопители с удвоенной производительностью для центров обработки данных

07.10.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG стала первопроходцем в разработке первой в мире технологии производства мощных 300-миллиметровых пластин на основе нитрида галлия (GaN), что знаменует собой значительный шаг вперед в полупроводниковой индустрии. Этот технологический прорыв открывает новые возможности для массового производства силовых полупроводников, необходимых для широкого спектра приложений.</p>

Infineon представила первую в мире 300-миллиметровую мощную GaN-технологию

06.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.