T499A334K035ATE15K
![](/img-new/pdf.png)
T499A334K035ATE15K datasheet
-
МаркировкаT499A334K035ATE15K
-
ПроизводительKemet
-
ОписаниеKemet T499A334K035ATE15K Capacitance: 0.33?µF Dimensions: 1.6 mm W x 3.2 mm L x 1.6 mm H Esr: 15 Ohms Esr (equivalent Series Resistance): 15.00 Ohm Features: General Purpose Height: 0.063" (1.60mm) Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Lead Spacing: - Manufacturer Size Code: A Mfr Case Code: A Case Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55?°C ~ 175?°C Operating Temperature Range: - 55 C to + 125 C Package / Case: 1206 (3216 Metric) Product: Tantalum Solid High Temperature Series: T499 Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) Termination Style: SMD/SMT Tolerance: ?±10% Type: Molded Voltage - Rated: 35V Voltage Rating: 35 Volts Product Category: Tantalum Capacitors - Solid SMD RoHS: yes ESR: 15 Ohms Case Code - in: 1206 Case Code - mm: 3216 Capacitance - nF: 330 nF Capacitance - pF: 330000 pF Factory Pack Quantity: 2000 Voltage Rating DC: 35 V Other Names: 399-5069-2
-
Количество страниц19 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Micron Technology Inc. объявила о начале поставок своей NAND флэш-памяти девятого поколения (G9), которая устанавливает новый стандарт в отрасли хранения данных. NAND G9 от Micron, теперь интегрированная в твердотельные накопители, достигает беспрецедентного уровня производительности, обеспечивая самую высокую скорость передачи данных в отрасли — 3,6 ГБ/с. Это достижение укрепляет позиции компании Micron как лидера в технологии NAND, обеспечивая значительное повышение производительности и эффективности для широкого спектра приложений.</p> <p>Компания Micron Technology Inc. объявила о начале поставок своей NAND флэш-памяти девятого поколения (G9), которая устанавливает новый стандарт в отрасли хранения данных. NAND G9 от Micron, теперь интегрированная в твердотельные накопители, достигает беспрецедентного уровня производительности, обеспечивая самую высокую скорость передачи данных в отрасли — 3,6 ГБ/с. Это достижение укрепляет позиции компании Micron как лидера в технологии NAND, обеспечивая значительное повышение производительности и эффективности для широкого спектра приложений.</p>](/images/cache/1645995a8060240112305bc57eec0e13.jpg)
05.09.2024
![<p>Компания STMicroelectronics представила VL53L4ED, новое дополнение к линейке времяпролетных (ToF) датчиков, которое отличается расширенным диапазоном рабочих температур от -40°C до 105°C. Это делает датчик идеальным для применения в жестких условиях, таких как промышленные инструменты, оборудование "умных" фабрик, системы управления роботами, системы управления наружным освещением и системы безопасности, где экстремальные условия являются обычным делом.</p> <p>Компания STMicroelectronics представила VL53L4ED, новое дополнение к линейке времяпролетных (ToF) датчиков, которое отличается расширенным диапазоном рабочих температур от -40°C до 105°C. Это делает датчик идеальным для применения в жестких условиях, таких как промышленные инструменты, оборудование "умных" фабрик, системы управления роботами, системы управления наружным освещением и системы безопасности, где экстремальные условия являются обычным делом.</p>](/images/cache/d811e4b36ef7380db0c06e7150fbb656.jpg)
04.09.2024
![<p>Недавние обновления стандарта DDR5 SDRAM, проведённые Ассоциацией твердотельных технологий JEDEC, значительно повысили безопасность, надёжность и возможности управления питанием памяти. Компания Rambus также интегрировала в модули DDR5 DIMM усовершенствованные функции управления питанием, что стало особенно актуально на фоне растущих нагрузок в области искусственного интеллекта (ИИ) и повышенных требований к вычислительной мощности.</p> <p>Недавние обновления стандарта DDR5 SDRAM, проведённые Ассоциацией твердотельных технологий JEDEC, значительно повысили безопасность, надёжность и возможности управления питанием памяти. Компания Rambus также интегрировала в модули DDR5 DIMM усовершенствованные функции управления питанием, что стало особенно актуально на фоне растущих нагрузок в области искусственного интеллекта (ИИ) и повышенных требований к вычислительной мощности.</p>](/images/cache/9ca198926f8e58e8c8a83e4d0e144143.jpg)
03.09.2024