ISL6612BCRZ datasheet

ISL6612BCRZ datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

ISL6612BCRZ
Производитель

Intersil
Описание

Intersil ISL6612BCRZ Configuration: High and Low Side, Synchronous Current - Peak: 1.25A Delay Time: 10.0ns High Side Voltage - Max (bootstrap): 36V Input Type: PWM Mounting Type: Surface Mount Number Of Configurations: 1 Number Of Outputs: 2 Operating Temperature: 0?°C ~ 85?°C Package / Case: 10-DFN Series: - Voltage - Supply: 7 V ~ 13.2 V
Количество страниц

12 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

328,21 KB

ISL6612BCRZ datasheet скачать

ISL6612BCRZ datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>На конференции Embedded Vision Summit компания DeepX представила свои чипы первого поколения, разработанные для обработки ИИ на устройствах и автономной робототехники. Компания также намекнула на будущие разработки, направленные на поддержку моделей-трансформеров в следующем поколении оборудования, что обещает существенно улучшить возможности обработки данных на устройствах в реальном времени.</p>

DeepX готовится расширить поддержку трансформеров в чипах следующего поколения

15.10.2024

<p>С учетом растущего спроса на высокопроизводительные NAND-накопители и сверхбыстрые DRAM-чипы, обусловленного развитием искусственного интеллекта (ИИ) и анализа больших данных, компания SK hynix Inc. анонсировала новый SSD-накопитель PEB110 E1.S (PEB110), специально разработанный для центров обработки данных. Этот накопитель обеспечивает значительное увеличение производительности и энергоэффективности благодаря внедрению технологии PCIe пятого поколения (Gen5).</p>

SK hynix представляет твердотельные накопители с удвоенной производительностью для центров обработки данных

07.10.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG стала первопроходцем в разработке первой в мире технологии производства мощных 300-миллиметровых пластин на основе нитрида галлия (GaN), что знаменует собой значительный шаг вперед в полупроводниковой индустрии. Этот технологический прорыв открывает новые возможности для массового производства силовых полупроводников, необходимых для широкого спектра приложений.</p>

Infineon представила первую в мире 300-миллиметровую мощную GaN-технологию

06.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Электронные компоненты и радиодетали

Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.