BCP5610TA

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BCP5610TA datasheet

• Маркировка
  BCP5610TA
• Производитель
  Diodes
• Описание
  Diodes BCP5610TA Configuration: Single Transistor Polarity: NPN Collector- Base Voltage VCBO: 100 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V Maximum DC Collector Current: 1 A Gain Bandwidth Product fT: 125 MHz DC Collector/Base Gain hfe Min: 63 at 150 mA at 2 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-223 DC Current Gain hFE Max: 63 Maximum Power Dissipation: 2000 mW Minimum Operating Temperature: - 55 C
• Количество страниц
  1 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BCP5610TA.pdf
Файл формата Pdf 31,13 KB